高低溫沖擊試驗(yàn)箱 High And Low Temperature Shock Test Chamber
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產(chǎn)品名稱: 高低溫沖擊試驗(yàn)箱 High And Low Temperature Shock Test Chamber
產(chǎn)品型號(hào):
產(chǎn)品展商: 其他品牌
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簡(jiǎn)單介紹
高低溫沖擊試驗(yàn)箱 High And Low Temperature Shock Test Chamber適用于考核產(chǎn)品(整機(jī))、元器件、零部件等經(jīng)受溫度急劇變化的能力,該溫度沖擊試驗(yàn)?zāi)軌蛄私庠囼?yàn)樣品一次或連續(xù)多次因溫度變化而帶來的影響。影響溫度變化試驗(yàn)的主要參數(shù)為溫度變化范圍的高溫和低溫溫度值、樣品在高溫和低溫下的保持時(shí)間、以及試驗(yàn)的循環(huán)次數(shù)等因素。高低溫沖擊試驗(yàn)箱 High And Low Temperature Shock Test Chamber
高低溫沖擊試驗(yàn)箱 High And Low Temperature Shock Test Chamber
的詳細(xì)介紹
高低溫沖擊試驗(yàn)箱 High And Low Temperature Shock Test Chamber
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高低溫沖擊試驗(yàn)箱 High And Low Temperature Shock Test Chamber簡(jiǎn)介:本試驗(yàn)箱適用于考核產(chǎn)品(整機(jī))、元器件、零部件等經(jīng)受溫度急劇變化的能力,該溫度沖擊試驗(yàn)?zāi)軌蛄私庠囼?yàn)樣品一次或連續(xù)多次因溫度變化而帶來的影響。影響溫度變化試驗(yàn)的主要參數(shù)為溫度變化范圍的高溫和低溫溫度值、樣品在高溫和低溫下的保持時(shí)間、以及試驗(yàn)的循環(huán)次數(shù)等因素。
高低溫沖擊試驗(yàn)箱 High And Low Temperature Shock Test Chamber技術(shù)參數(shù)
型號(hào)
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TS 60
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TS 120
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TS 120 P
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TS 300
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TS 300 P
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測(cè)試空間容積
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l
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60
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120
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120
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300
|
300
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移動(dòng)提籃最大負(fù)載
|
kg
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20
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50
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50
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100
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100
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試驗(yàn)空間尺寸:
高(H)x寬(W)x深(D) m
|
mm
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370x380x430
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410x470x650
|
410x470x650
|
610x770x650
|
610x770x650
|
熱箱溫度范圍
|
°C
|
+50 至 +220
|
+50 至 +220
|
+50 至 +220
|
+50 至 +220
|
+50 至 +220
|
冷箱溫度范圍
|
°C
|
–80 至 +70
|
–80 至 +70
|
–80 至 +70
|
–80 至 +70
|
–80 至 +70
|
熱箱升溫速率①
|
K/min
|
17.0
|
14.0
|
18.0
|
11.0
|
23.0
|
冷箱降溫速率①
|
K/min
|
3.7
|
6.3
|
7.5
|
5.0
|
12.0
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冷箱升溫速率,單箱操作①
|
K/min
|
3.2
|
2.0
|
2.0
|
1.5
|
1.5
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溫度波動(dòng)度②
|
K
|
±0.3 至 ±1.0
|
±0.3 至 ±1.0
|
±0.3 至 ±1.0
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±0.3 至 ±1.0
|
±0.3 至 ±1.0
|
溫度均勻性③
|
K
|
±0.5 至 ±2.0
|
±0.5 至 ±2.0
|
±0.5 至 ±2.0
|
±0.5 至 ±2.0
|
±0.5 至 ±2.0
|
熱/冷箱轉(zhuǎn)換時(shí)間
|
sec
|
<10
|
<10
|
<10
|
<10
|
<10
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恢復(fù)時(shí)間–溫度變化測(cè)試
|
min
|
<15④
|
<15⑤
|
<12⑥
|
<15⑦
|
<15⑧
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熱箱校準(zhǔn)值⑨
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°C
|
+125
|
+125
|
+125
|
+125
|
+125
|
冷箱校準(zhǔn)值⑨
|
°C
|
–40
|
–40
|
–40
|
–40
|
–40
|
①
根據(jù)IEC 60068-3-5。通過選擇提升/降低熱箱/冷箱溫度來提高溫度變化速率。
②有效測(cè)試空間中心點(diǎn)。
③基于設(shè)置點(diǎn);溫度范圍 –65 °C to +200 °C。
④MIL-STD-883 E,方法 1010.9,強(qiáng)度級(jí) D ,4.5 kg ICs 分布于2個(gè)樣品架內(nèi),樣品內(nèi)測(cè)量。
⑤MIL-STD-883 J,方法 1010.9,強(qiáng)度級(jí) D,12 kg ICs 分布于3個(gè)樣品架內(nèi),樣品內(nèi)測(cè)量。
⑥MIL-STD-883 F,方法 1010.9,強(qiáng)度級(jí) D,20 kg ICs 分布于3個(gè)樣品架內(nèi),樣品內(nèi)測(cè)量。
⑦
MIL-STD-883 J,方法 1010.9,強(qiáng)度級(jí) F,25 kg ICs 分布于3個(gè)樣品架內(nèi),樣品內(nèi)測(cè)量。
⑧
MIL-STD-883 F,方法 1010.9,強(qiáng)度級(jí) F,50 kg ICs 分布于3個(gè)樣品架內(nèi),樣品內(nèi)測(cè)量。
⑨出廠計(jì)量。